|
|
а выходные характеристики как у IGBT. Это грубо говоря комбинация мощного полевого с параллельным биполярным, и таким образом достигается отсутствие остаточного напряжения в открытом состоянии как у полевого при малом сопротивлении как у биполярного. В открытом состоянии хорошо апроксимируется просто сопротивлением. При добавлении драйвера на входе получается IGBT. Исторически вначале был разработан БСИТ, а потом на его основе IGBT. Когда то впервые был разработан в нашей стране, также как и первые образцы IGBT - IRF была позже. Для разработки исходите из того, что это биполярный транзистор, но с малым остаточным напряжением и малыми временами включения\выключения. Выбирать Iк/Iб=5 при этом Rост < 60 mOm. Не самый удачный из БСИТ - лучше КП971/973. Пара КТ972/973 вполне подойдет.
E-mail: 
info@telesys.ru
